bon ca fait un bout de temps que ce sujet n'a plus eu d'activité et tu as certainement déjà réalisé le UHU, mais voici qqs réponces:
les MOS sont commandés par la tension Vgate-source:
à Vgs = "thresold voltage" le MOS atteint pratiquement sa conduction loa plus haute.il faut donc dépasser cette tension pour utiliser ses capacités au max.
Vgs a une valeur max au delà de laquelle le transistor est détruit.
mais ce n'est pas tout!
il existe une capacité entre chaque broche des MOS.
dans notre cas, c'est la capacité gate-source qui est importante.
plus elle est grosse, plus il faudra du temps au driver de MOS pour la charger, et donc pour saturer la transistor.
c'est là qu'intervient la tension d'alimentation des driver.
en effet, si les drivers sont alimentés disons à 15V et que la tension de saturation du MOS à commander est faible (typiquement dans les 2-5v), le temps qu'il faudra pour suffisemment charger la grille (gate) baisse considérablemnt!
c'est pour cette raison que les drivers de MOS actuels peuvent travailler avec des tensions d'environ 15-20V.
plus sur les dipoles RC: google, et, entre autres
ici
bon, la tension de commande n'est pas tout: si le driver ne peut fournir que 500mA par exemple, il faudre (C*Vgs,sat / 0.5) secondes pour arriver à saturation.
un bon MOS pour commander des charges en PWM doit donc pouvoir tenir l'intensité et la tension de sortie nécessaire, et aussi posséder une faible capacité de grille-source (gate) ainsi qu'une faible tension de saturation et une tension grille-source max suffisante.
prendre garde à la vitesse max d'allumage-extinction donnée dans la datasheet (turn-on/turn-off delay): max ~2% (ou dans les 4% si la précision requise est moyenne) de la période du PWM
s'ajoute encore les pertes Ohmiques en régime continu, typiquement Ron (résistance max du MOS en condution) * I² (intensité qui traverse le MOS), les pertes à la grille (généralement négligeables si Cgs dans les nF et la fréquence du PWM <500KHz), et finalement les pertes d'allumage-extinction.
ces dernières sont plus dures à calculer, car elles dépendent de la fréquence, la capacité entre source et drain, et la pente de charge de la grille.
pour faire simple on la minore par I² (intensité max qui traverse le MOS) * T (temps d'allumage/extinction + temps qu'il faut pour saturer le MOS) * Ron (résistace max du MOS saturé)
on rassemble tout ça, ca nous fait une dissipation max en W, puis on applique une marge de 100% (si on veut être sur de pouvoir driver des charges inductives dans le sahara, avec de grosses fluctuations et ça pour un sciècle) ou moins (mini 40% je dirais) à TOUS ces paramètres.
oui, je sais, ca fait beaucoup de paramètres à prendre en compte, mais en général pour des intensités d'~10A sous 80V etune fréquence PWm <=200KHz on a peu de mal à trouver.
mais je déconseille vivement de faire soi-même des drivers de MOS.
d'abors ils sont disponibles tout intégrés pour moins d'1€ et ensuite leur calcul est extrêmement complexe!
il faut en effet faire en sorte que les deux MOS d'un 1/2 pont ne puissent JAMAIS conduire en même temps. le cas échéant c'est une belle fumée que vous obtiendrez, au mieux, car en fondant les jonction du MOS peuvent se court-circuiter.
Je ne sais pas comment le port // de votre PC réagira s'il recoit du 80V sur une se ses broches! enfin si mais bon
par exemple sur le 1e shemas, on voit une cellule RC (+trigger de s) intitulée "dead time control".
c'est justement le dead time (temps mort) qui empèche la condution des deux cotés (haut et bas) à la fois. il faut calculer r et c pour que le trigger ... triggue ^^avec un retard équivalent au temps d'extinction du mos opposé (haut bas).
mais là ou ca devient vicieux, c'est que la tension grille-source de Q6 et Q10 et au max égale à celle source-drain... qui elle même dépend de la résistance du MOS (fonction de Vgs) et de l'intensité qui le traverse
Q6 et Q10 n'atteindront jamais leur résistance de conduction max->pertes ohmiques plus importantes et temps de (pseudo) allumage indéterminé.
sorry mais pour moi c'est de la merde le driver MOS home made pour la CN. pour un suiveur de ligne, ca passe mais là...
j'ai failli dire ca sans remarquer que Q6 et Q10 sont en canal P, donc sont passant quant leur grille est à une tension < à la tension d'alim.
mais ca reste limité niveau performances.
un ptit lien:
http://fr.wikipedia.org/wiki/MOSFET
EDIT:[/color] une exemple quant j'en aurais le temps^^