Merci ! ah tu as 4 Fet qui balance la sauce, et je vois Shottky de marqué et je vois que tu as fait beaucoup d'essai différent aussi ,toi aussi !
Par contre j'ai pas vu le NOM de tes Shottky ! Trop curieux de savoir leur ref et de voir leur datasheet !
Je viens de faire TOUT les datasheet diode 150a200v de chez NXP ,vishay ,infineon,rohm et autre ....et rien me convient soit trop de temps trr soit une tension de forward elevé,ou du courant de fuite etc etc
ah si j'avais trouvé une de vraiment pas mal ,ok sur tout sauf sur une donné ! ; la diode a 1000 picofarad de capacité et il ne donne nul part son Temps de recouvrement inverse. dans le doute on s abstient !
...bref je reviens bredouille !
Alors desespéré (rire) , j'ai regardé la ref de la diode cms que le concepteur a monté sur le pcb F7 ! fabriqué par zebo seno ouai ouai ouai ! ca promet !
Dans la présentation Diode ULTRA FAST
et dans le tableau sont Trr est de 500nS !!!!!!!!!!!! plié de rire ! ULTRA rapide il ont osé appelé pareil chose !Trés bon pour du 50Hz je dois le reconnaitre !!!! mort de rire !
Alors j'ai dégainé mes 1N4148 avec leur incroyable Trr de 4ns et avec une capa de 1picofard ..... Dans le fond seul leur tension max et leur tension de seuil a 0,7v me gene car ca laisse 0,7v a la gate du fet ,mais ca pas l'air de géné + que ca ,,,peut etre sur le Temps OFF rallongé .... la gate "ouvre" a partir de 4V.
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J'ai soudé mes 1n4148 et testé sous 16v , Bilan du test :
-La frequence a vide est passé de 12khz a 4khz
Avec la meme charge en sortie Mes fet ne chauffe ENFIN plus !!!!!
y prenne un gentil de 2a3 degré sur un test de 10 minutes !Avant je prenais +de 60degré en 1min .....
j'ai dépassé les 60 seconde maximum que préconisais le concepteur de ce circuit , j'ai ces coordonnés je lui en ferais part (es-ce voulu? pour claqué du fet ,ou a t il perdu confiance dans les merveilleuse capacité de son montage etant résigné a DEVOIR monté du condo low cost et gaché son bijoux .
de la 1n4148 !!!!!!!!
de la bete 1n4148 ,qui l'eu cru ! (rire) vieil d'au moins 20 ans(Texas instrument 1966 source wiki) et aux caractéristiques resté étonnante !
Bon bon bon , elle tient 100 volt max , ca ca m embete et m inquiete , j'avais lu que tension d'entree * 3.14 ...... j'aurais 31 volt max en entrée, passe ou dépasse? Quelqu'un a la réponse ?
au pire faudra que je revise et étalonne mon vieil oscillo....
si je dépasse pas je garde ces merveilleuse 1n4148 sans souci !
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Au passage mes fet actuel ont un rise time(temps de monté en tension ) de 110 nano , j'ai commandé pour test des + raide en pente .....15nano (par contre ca amplifie la criticité des condo ,pareil pente!)
J'ai commandé en chine et testerai deux modéle different de chez Infineon ,leur caracteristiques me paraissent equilibré et prometteuse : (existe dans tout les type de boitier)
IPP65R110CFD famille cfd2 de chez Infineon sa diode interne et rapide ,Infineon préconise en ZVS pour évitée des défaillances . Ok ok j 'écoute le conseil d'infineon ,mon choix : 110 milli ohms oui oui !y avait 90 ou 75 ou 41,ou plus "haut" Ils ont un Qg et un Coss gourmand et defavorable ,,,,, Dans la gamme , Dans cette Famille ca vas jusqu'a 600 milli ohm ...TOUT les paramétres sont super hormis ce RDS "élevé" . = trouvé un compromis !
Mon choix de 110 milli ohms permettrait(i=U sur R) 218 ampere en court circuit pur a ses bornes sous 24v . (et 436amp en 48v , Son seuil max et de 200amp que peuvent laissé passé les pattes du composant en to247 ) faut arrété de vouloir a tout prix un rds de 0,000000 virgule zero si le "reste" des param est "pourri" ca sert a rien ! de gratté d'un coté et de PERDRE de l'autre !
.....Je pense de plus en plus bridé avec une zener (en général 8volt) la tension VGS au max technique du boitier ,l'interet d une tension vgs plus basse ,,,,, moins de courant de gate a déchargé ,,,env 30% = gain d'environs 30% de temps OFF
le rds ON varie suivant la temp suivant l'amperage sortie etc etc a pas oublié ,les fabricant "bricole" leur datasheet trés trés méchamment exemple avec resistance 10 ohm le test et ailleurs avec 4,7 = monté en tension moins rapide par contre temps de redescente + rapide LOGIQUE !!!
J'ai deux datashhet que j'ai comparé en fait c'est le meme fet ! sauf que le protocole de test est plus favorable pour l un que l autre !
d' un "mauvais" fet en bricolant les protocole de test ,tu peux un faire un "bon" le testé avec 1 ampére en sortie ... c'est sur qu'il "ouvre" et "ferme" vite et bien . méfiance ! Y renomme et bricole leur protocole de test ! Y mettent toujours a coté le detail du protocole de test bien observé ! attention c des voyous !
pas se focalisé a avoir un rds On de 0,00000 virgule 0 si on a ca de l autre coté tout le reste est "pourri" UN EQUILIBRE JE DIRAIS ! un exemple :en court jus "pur" vous avez 30 v d alim vous branché au fet 0,100ohm ca fait combien 300amp ! et son boitier ,sa taille de patte permet "que" 200amp vous voyez la logique ,,c sur que d'etre resistif y chauffe "un peu" du a ca ,,, mais si de l autre coté il est LENT a commuté ben y chauffera au mment ou y devient de + en + resistif au moment OFF ,,,,un compromis un equilibre !
Et j'ai choisi un autre fet a testé il me parait trés prometteur sur tout les paramétres !Et devrais avoir peu de perte ,tant en commutation ,tant par résistivité le :
IRFB4227PBF ..... super equilibre global !protocole de test respécté disons test avec 46 ampere en sortie ... bon temps de commut
Sa diode intégré tiens aussi la "route". y me parait super "propre" et prometteur y feras du bon boulot sans gaspillé/chauffé ! en comparaison au traditionnel irfp260 il est "2X" Meilleur ,sur l ensemble des param ,,,, ca reste subjectif ..
Dommage je suis pas au point pour testé pleins de chose sous simulateur scilab
@jekaspa : Je relirais en détail tout le Forum , Merci de ton aide ! Et bonne soiré a Toi et a Vous Tous !
PS : j'avance , j'avance ! mdr
Eureka ! :
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1n4148(100volt max) = BAV21 (200volt max)
j'en commande tout de suite une cagette ! avant d'avoir un bout de fet dans lcrane !!!! ptdrrrrrrrrrrrr !
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j'ai comparé leur datasheet les methodes de test sont pas les memes
le trr apparait a 50 ...explication pour la 1n4148 le test c'etait coupé 10milli amp et pour celle la le test et a 30 milli amp a coupé logique plus long , pour notre cas on doit mettre le courant de la resistance de Gate a la masse + déchargé gate ....volt max a gate 12volt divisé par 470ohms =25m
, le courant de fuite est donné dans le pire cas a 150degré ,,,par contre la tension inverse demarre plus bas ! super !!!! ..........avant les années 2000 ont présenté assez souvent le pire cas,les caracteristiques "critique"....de nos jour y bricole les protocoles de test , je soupconne infineon(comme tous) avec leur C3 et C6,,hé ouai le Boss et client voulait dla nouveauté !Ca bosse , ca bosse !!! alors bricolage de chiffre et du protocole de test laissé a leur entier choix .
Ps : Je couche ....sur le Forum ! ptdrrr !
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Une autre voie de réflexion :
Tout faire pour limité/réduire le T off donc diode en general zener 8 v (suivant fet) et ca reduit de 30 % le T off car Gate moins chargé de 30%
autre réflexion dans mon cas j'ai une resitance de 1 k et une 10k vers la masse ,le fet consomme 100nanoamp ,,,,,, tout faire pour limité la précense d'amperage = la diode bav aura moins de "boulot" et videra la gate encore + vite (un peu hypothétique mais pense que c juste a 30 millamp lui faut 20ns et a 10milliamp 6ns je veux 5mA)