Carte Servos à dsPIC

fred8 a dit:

A y est, çà compile...

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Fred8 a dit:

quelle chianlie la configuration de C30...En plus, il ne garde pas les chemins en mémoire d'un projet à l'autre, c'est lourd de tout reconfigurer à chaque fois

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Fred8 a dit:

sinon, c'est quoi cette histoire de IOLOCK que C30 ne trouve pas à la compilation?
Pour que le Test33F_2 soit compilé sans erreur, j'avais dû le mettre en commentaire aussi...

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Fred8 a dit:

Prochaine étape : commande d'un kit de développement, et des gros progrès à faire en C.

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• 1. Il faut qu'ils aient une vitesse d'allumage/extinction faible, moins d'1µs ça parait idéal. Dans le cas des IGBT, ça peut parfois être dur à trouver, car ils sont en général plus lents (en général, j'en ai vu à 50 ns); dans ce cas on prend le plus faible temps d'a/e et en général on cherche ailleurs si on arrive près des 10µs

• 2. La capacité de la grille ("input capacitance" ou "gate capacitance") doit être faible quant on utilise des drivers à composants discrets, qui en général ne peuvent pas fournir plus de 50-100mA.
  pour l'application qui nous intéresse (on travaillera à une fréquence d'environ 20KHz), une capa de grille (ou d'entrée) de 2-4 nF (2k-4k pF) avec un driver permettant de débiter 1A (donc un driver fait pour), et 200-400 pF pour un driver "fait maison" capable de débiter 100mA. si on se trouve dans cette fourchette de capa, on choisira de préférence un transistor un peu plus cher mais plus performant, sinon c'est bon

• 3. La tension Drain-Source maximale: on prendra 10-20% de rab par rapport à la tension d'alimentation du contrôleur

• 4. La tension d'allumage ("Gate Threshold Voltage") en général n'aura que peu d'influence. il faut qu'elle reste en dessous de la demi de l'alimentation du driver: un driver a généralement une alimentation séparée à lui tout seul, différente de l'alimentation pour la logique (5v) et de l'alim moteur, par exemple 12V. Dans ces ca, la tension d'allumage doit être inférieure à 6V.

• 5. La tension Grille-Source maximale ("Gate−to−Source Voltage") dois être supérieure d'au moins 10% à l'alimentation du driver (dans le cas précédent 12V), et ce 'des deux cotée': en + et en -

• 6. La résistance Drain-Source ("Drain−to−Source On−Resistance") doit être elle aussi faible. plus elle l'est, mieux c'est. en effet les pertes ohmiques (P = R*I*I) diminuent avec celle ci

• 7. L'intensité max du transistor devra être 20% plus élevée que l'intensité maximale en PIC que pourra supporter le driver.

• 8. La dissipation thermique: TRES IMPORTANT!
  Si on reste dans les valeurs que j'ai indiqué précédemment, j'ai calculé qu'au maximum la puissance dissipée était éqale à deux fois la puissance ohmique (aux alentours de 20KHz). lorsqu'on fait les calculs on trouve nettement moins, mais en général on oublie ce qu'on ne peut pas calculer: les pertes dues à l'allumage/extinction. Donc j'ai majoré.
  le boitier devra bien sûr être capable de dissiper bien plus d'énergie au maximum: la dissipation totale ("Total Power Dissipation") est calculée en général à 25°C. pour avoir la dissipation max à 100°C par exemple, on fait Ptot = [Pmax - (100°C - 25°C)*Z] où Z est est le "Derate above 25°C" exprimé en W/°C.
  pour exemple, le MOS dont j'ai joint le pdf a Z=1.4W/°C, donc Ptot = 109W. Là encore les 100°C accordent une merge de sécurité, et correspondent à la température max atteinte par les bords du boilier (la languette des TO220 par exemple), atteinte si le radiateur attaché évacue assez de chaleur pour que le boitier reste à 100°C
  Allez, un petit complément sur les radialeurs:
  En gros, la caractéristique des rads (appelons la X) est donnée en °C/W. donc un rad dont X = 1°C/W qui doit dissiper 100W maintiendra la température du transistor à 100°C de plus que la température ambiante (122°C si vous êtes dans le garage, 112° si vous êtres dans le garage )

• 8. Le transistor doit être équipé d'une diode de roue libre (free wheeling diode). en général on ne trouve pas ses caratéristiques car elles sont dimentionnées correctement: pas de risques de voir le MOS partir en fumée à cause de sa diode. (du moins sur les MOS récents, je ne sias pas de quoi il en retournait au début)